DX-Hall-07霍尔效应测试系统

DX-Hall-07霍尔效应测试系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件组成。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

  本仪器系统由电磁铁电磁铁电源高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件组成。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源,位半微伏表及霍测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等

 

 

可测试材料:

 

序号

测试样品材料

测试样品参数

测试样品展示

样品1

单晶Si

样品厚度:0.043 cm

测试电流:1 mA

霍尔电压:3.903 mV

霍尔系数:3356.34 cm³/C

载流子浓度:1.86*10^15

迁移率:233.115 cm2/Vs

电阻率:14.397 Ω•cm

样品2

砷化镓GaAs

样品厚度:0.0002 cm

测试电流:0.01 mA

霍尔电压:-28.2384 mV

霍尔系数:-11295.36 cm³/C

载流子浓度:5.53*10^14

迁移率:6797.295 cm2/Vs

电阻率:1.6617 Ω•cm

样品3

氮化镓GaN

样品厚度:0.0004 cm

测试电流:20 mA

霍尔电压:-7.121 mV

霍尔系数:-2.848 cm³/C

载流子浓度:2.19*10^18

迁移率:238.245 cm2/Vs

电阻率:0.01195 Ω•cm

样品4

透明氧化物

样品厚度:0.053 cm

测试电流:0.01 mA

霍尔电压:-18.2332 mV

霍尔系数:-1939058 cm³/C

载流子浓度:3.23*10^12

迁移率:498.7153 cm2/Vs

电阻率:3862.74 Ω•cm

样品5

合金

样品厚度:0.108 cm

测试电流:20 mA

霍尔电压:-0.0011 mV

霍尔系数:-0.1152 cm³/C

载流子浓度:6.02*10^18

迁移率:132.7011 cm2/Vs

电阻率:0.00084 Ω•cm

样品6

石墨烯

样品厚度:3.40*10^-8cm

测试电流:0.3 mA

霍尔电压:8.4843 mV

霍尔系数:0.0191 cm³/C

载流子浓度:3.25*10^20

迁移率:153.3448 cm2/Vs

电阻率:0.00012Ω•cm

样品7

锑化铟InSb

 

样品厚度:0.0001 cm

测试电流:10 mA

霍尔电压:-998.7382 mV

霍尔系数:-1999.7476 cm³/C

载流子浓度:3.13*10^16

迁移率:34305.52 cm2/Vs

电阻率:171.74 Ω•cm

 

仪器介绍:

 

序号

名称

主要技术参数

产品图片

仪器1

DX-50

电磁铁

1、磁场强度(Magnet Flux Density)

N,S间距10mm时最大磁场1070mT

N,S间距20mm时最大磁场678mT

N, S间距30mm时最大磁场500mT

N, S间距40mm时最大磁场 378mT

N, S间距50mm时最大磁场 293mT

2、磁场均匀区(Uniformity):间隙10mm时直径10mm范围均匀度为1%

3、电磁铁参数

3.1、极柱直径φ:50mm

3.2、极头直径φ:50mm

3.3、极头间隙可调范围:0 ~ 80mm

3.4、线圈内阻:约为12.0Ω

3.5、磁场稳定性:±0.3Gs(24h时间内)

3.6、自重:30Kg

仪器2

DXF-2031

恒流源

1、输出电压:有效输出电压范围 0V—60V DC,开路输出电压:80V ± 5V @5A

2、输出电流: –5A ~ +5A DC(电流线性渐变速率0.01A/s—2A/s连续可选,最大扫描电流设置范围0.1mA—5A DC)

3、高步进分辨率0.1mA(1/50000 F.S.)

4、准确度 ±0.2%设置值+5mA)、稳定度优于±0.1% @5A

5、噪声/纹波:5mA RMS 典型值 @5A

6、 RS-232接口可数控极性转换,方便进行自动化霍尔效应试验过程

7、交互能力: 白色背光FSTN LCD显示器,必备的LED状态指示器,与显示器和指示器配合的3´4键交互型功能键盘操作,标准配备RS-232C计算机接口和易用的接口特性,完备的计算机接口命令集,扫描过程中的定时连续触发输出功能

8、负载保护功能:仪器掉电保护、仪器过温保护、仪器过流保护、仪器过功率保护

仪器3

DX-1500

高斯计

1、量程:±0.1Gs ~ ±30kGs

2、分辨率:0.1Gs

3、精度:读数的±0.5%±0.05%量程

4、测磁传感器厚度为1.0mm,长度为100mm

5、人机交互:明亮的宽屏高清液晶屏,4¾位显示,标准9针“D”型RS232连接器

6、自动化:完备的计算机指令,可通过数据通讯,实时在电脑界面监测并控制测试样品周围的磁场环境

仪器4

DX-320

样品恒流源

1、电流输出基本分辨力0.0001uA,电压测量基本分辨力0.0001mV

2、输出量程:50.00nA-50.00mA中间可以0.1nA步进连续可调

3、测量电压:0~±3V大量程测试电压满足高阻芯片的测试

4、内置自动变换的四相阵卡,可实现霍尔效应范德堡法的自动测量

5、良好的人机交互界面,方便使用者进行手动调节

6、完备的上位机指令,可与电脑进行通讯完成各项操作

仪器5

DX-35

样品台

1、样品台可支持30*30mm尺寸的样品进行测试

2、四探针法压点使得操作和样品触点接触更方便牢固

3、外部安装遮光部件,使得测试材料更加稳定

4、样品台固定在永磁铁支架上,使得每次测量样品都处于同一位置,保证更好的测量的重复性

5、样品台插针通过导线与DX-320仪器进行信号的连接以实现范德堡法的稳定测量

仪器7

上位机软件

1、可实现一键自动化测量,检测开始后无需人员进行操作即可进行测量。

2、在软件中进行设置可进行自动变温测量。

3、软件中可进行I-V曲线、B-V曲线

4、软件内进行的模块化设计,方便客户使用以及进行相关功能的开发

5、实验结果测量完成,数据将暂时保存在软件中,如需要长期保存可将数据导出至EXCEL表格中,方便后期的数据处理

6、提供中国科学院半导体所霍尔效应标准测试样片及数据:1套

仪器8

配套仪器装置

  1. 高斯计传感器固定支架:全铝非导体支架,可上下左右前后进行调节,方便用户根据需求调节传感器位置

2、磁场传感器探头固定装置:全铝非导体支架5-70mm可调

3、温度测量与控制连接线固定装置

4、制作样品上欧姆接触焊点的相应工具:电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等

5、232转USB串口线,实现测试仪器与上位机软件之间的通讯

 

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