DXGE-20零磁屏蔽磁场发生系统解决了亥姆三维地磁补偿线圈在地磁场屏蔽时无法屏蔽地磁的实时波动问题，使磁场屏蔽效果达到一个更高的水平（小于1nT)，在配备高精度磁通门计及高精度线性电源与三维等径亥姆霍兹线圈的情况下，能够达到在（0-100000nT)磁场的范围内，三分量X,Y,Z的磁场产生可以精确到1nT，调节步进也可精确到1nT。为使磁场屏蔽效果达到一个更高的水平（小于1nT）,在配备高精度磁通门计及高精度高稳线性电源和三维等径赫姆霍兹线圈的情况下，能够达到在（0-100000nT）磁场的范围内，三分量X.Y.Z的磁场产生可以精确到0.1nT,甚至1pT,调节步进也可精确到0.1nT,使科研,军工,医疗等众多领域的产品制作和实验极具意义，已被广泛应用。

        我们可以根据用户的需要单独为您开发设计更大零磁场环境，以便您在拥有足够大零场环境下开展您的无磁实验项目，除标准坡镆合金外，我们还可生产各类非晶软磁材料、纳米晶体软磁材料，可在零磁腔内加入样品测试或加入线圈产生一定磁场测试被测物的物理效应。

系统组成：

  屏蔽桶是提供零磁环境，降低外磁干扰；屏蔽层3层可达到剩磁≤10nT的屏蔽效果，磁场波动可达到≤20pT；5层可达到≤1nT的屏蔽效果，磁场波动可达到≤10pT。

  磁场发生装置有一组三维赫姆霍兹线圈和相配套的三台高精度电源组成，赫姆霍兹线圈用于产生实验所需的匀强磁场，3台电源可以分别控制X\Y\Z三个方向的磁场大小。线圈中心位置放置高精度磁通门探头作为磁场调节的反馈测试，反馈信号由上位机运算调整高精度电源输出的电流值，从而达到精准屏蔽地磁及产生所需磁场。

系统性能指标参考：

实例图片：