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DXGE-30S 地磁动态模拟屏蔽系统

DXGE-30S 地磁动态模拟屏蔽系统可以稳定有效的产生与地磁磁场方向相反的对等高精度磁场，系统可以实时抵消地磁场的磁场波动，从而在地磁环境下产生10nT的零磁环境, 如在屏蔽房或屏蔽筒内可以产生1nT或0.1nT的梯度磁场，系统也可以随意在三维分量上产生任意设定的磁场用于科学实验与模拟地磁变化环境,本系统被航天军工及大专院校广泛使用，其精度及稳定性数字化程度等特性广受好评。

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DXGE-20 零磁屏蔽磁场发生系统

DXGE-20 零磁屏蔽磁场发生系统解决了亥姆三维地磁补偿线圈在地磁场屏蔽时无法屏蔽地磁的实时波动问题，使磁场屏蔽效果达到一个更高的水平（小于1nT)，在配备高精度磁通门计及高精度线性电源与三维等径亥姆霍兹线圈的情况下，能够达到在（0-100000nT)磁场的范围内，三分量X,Y,Z的磁场产生可以精确到1nT，调节步进也可精确到1nT。

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DXGE-30T零磁屏蔽磁场发生系统

DXGE-30T 零磁屏蔽磁场发生系统解决了亥姆三维地磁补偿线圈在地磁场屏蔽时无法屏蔽地磁的实时波动问题，使磁场屏蔽效果达到一个更高的水平（小于1nT)，在配备高精度磁通门计及高精度线性电源与三维等径亥姆霍兹线圈的情况下，能够达到在（0-100000nT)磁场的范围内，三分量X,Y,Z的磁场产生可以精确到1nT，调节步进也可精确到1nT，使科研,军工,医疗等众多领域的产品制作和实验极具意义，已被广泛应用。

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磁屏蔽筒

磁屏蔽筒的功能主要是用于屏蔽以地球磁场为主的环境磁场，实现屏蔽后可在屏蔽筒内部形成一个近零磁（在空气中的磁感应强度低于1nT）的空间。满足高端用户对近零磁环境的需要和要求，该屏蔽筒外形美观、重量轻、使用方便、性价比高，适用于党政军机关、部队、科研、高校等单位。

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DXGE-500 磁场屏蔽房

我们可以根据用户的需要单独为您开发设计更大零磁场环境，以便您在拥有足够大零场环境下开展您的无磁实验项目,除标准坡镆合金外，我们还可生产各类非晶软磁材料、纳米晶体软磁材料，可在零磁腔内加入样品测试或加入线圈产生一定磁场测试被测物的物理效应。

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零高斯腔

零高斯腔由坡莫合金制成，旨在为实验室提供一个极低磁场的工作环境。零高斯腔采用了分层设计，当两个或更多同心间隔的磁屏蔽层串联使用（一个位于另一个内部）并磁隔离时，外部磁场的衰减会成倍增加。这种连续屏蔽层的倍增效应比具有相同总壁厚的单个屏蔽层提供了更大的磁场衰减。多层零高斯腔内，环境磁场和地球地磁场（0.25至0.65高斯）均可以衰减至毫高斯水平。

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